RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3366
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link