RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
76
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1260
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link