RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
70
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3273
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link