RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
70
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2163
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
InnoDisk Corporation 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link