Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 9.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.8 left arrow 5.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.4 left arrow 13.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.5 left arrow 9.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1453 left arrow 2323
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania