RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2382
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link