RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3621
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link