RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3025
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link