RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2786
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link