RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3950
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link