RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3029
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link