RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2489
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link