RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2312
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link