RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2490
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link