RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
63
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
61
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1813
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link