RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
63
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2361
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link