RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
100
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
100
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1479
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link