RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3594
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link