RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
68
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2727
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link