RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
68
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2254
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link