RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2965
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link