RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
86
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
86
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1220
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link