RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641160 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2613
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
INTENSO 5641160 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link