RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2231
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link