RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1897
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link