RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
76
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1718
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link