RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3576
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link