RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2962
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link