RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2439
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link