RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3555
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link