RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
50
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3162
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link