RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3332
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link