RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3292
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link