RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
50
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1967
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link