RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3084
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link