RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2320
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link