RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
3356
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link