RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
2808
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link