RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
87
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1866
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link