RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3529
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link