RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
87
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
4243
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link