RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2462
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link