RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
87
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2333
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link