RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1426
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link