RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
53
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3938
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link