RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
53
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3879
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link