RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
1832
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link