RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
96
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1810
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link