RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
96
Wokół strony -336% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3779
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link