RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
96
99
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
99
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1386
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link